IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
部品番号：
IXTH1N200P3
代替モデル：
STW3N170 , IXTT02N450HV , IXTH1N250 , IXTH1N200P3HV , NTBG1000N170M1 , AQY210S , IXFP3N120 , APV1121S , APT1608EC , FBMH4532HM681-T , BAV199W-7
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
RoHS の：
YES
IXTH1N200P3 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-247-3
消費電力(最大)：
125W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247 (IXTH)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
23.5 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
2000 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
646 pF @ 25 V
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223.2
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6.64
796.8
510
5.86
2988.6
1020
5.28
5385.6
2010
4.95
9949.5
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