FDB28N30TM
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
부품 번호:
FDB28N30TM
대체 모델:
MURS115T3G  ,  1571983-5  ,  B72207S0151K101  ,  IPB17N25S3100ATMA1  ,  SK220A  ,  LTC3864HDE#PBF  ,  IXFQ120N25X3  ,  TPMR10D  ,  B2B-XH-AM  ,  ISO1050DUBR  ,  T2N7002AK  ,  LM  ,  726386-2  ,  TL494BDR2G  ,  TLP183(GB-TPL  ,  E  ,  RN112-4-02-0M7
제조업체:
Sanyo Semiconductor/onsemi
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
RoHS는:
YES
FDB28N30TM 사양
장착 유형:
Surface Mount
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
10V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(최대):
±30V
Vgs(일)(최대) @ Id:
5V @ 250µA
공급자 장치 패키지:
TO-263 (D2PAK)
패키지/케이스:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
2250 pF @ 25 V
전력 소비(최대):
250W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
28A (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss):
300 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
129mOhm @ 14A, 10V
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:2341
수량
단가
국제 가격
800
1.3
1040
1600
1.1
1760
2400
1.05
2520
5600
1
5600
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