SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
부품 번호：
SI7994DP-T1-GE3
대체 모델：
SI7157DP-T1-GE3 , SUM70060E-GE3 , SQT-120-01-F-Q , SIR871DP-T1-GE3 , SQJ431AEP-T1_GE3 , SQT-110-01-F-Q , SISS71DN-T1-GE3 , 74279266 , SIS862DN-T1-GE3 , HP8K24TB , LTC4365ITS8#TRMPBF , SI7938DP-T1-GE3 , SI7252DP-T1-GE3 , SI7997DP-T1-GE3 , SI7272DP-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
RoHS는：
YES
SI7994DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
구성：
2 N-Channel (Dual)
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8 Dual
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
60A
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.6mOhm @ 20A, 10V
전력 - 최대：
46W
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
3500pF @ 15V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
80nC @ 10V
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