SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
부품 번호：
SIA414DJ-T1-GE3
대체 모델：
SIA427DJ-T1-GE3 , DMN1054UCB4-7 , SIA427ADJ-T1-GE3 , SIUD412ED-T1-GE3 , SAV-541+ , SI1442DH-T1-GE3 , SI1050X-T1-GE3 , SIA436DJ-T1-GE3 , SI5517DU-T1-GE3 , BC69PASX , W25Q128JVSIQ , SI3499DV-T1-BE3 , SI3499DV-T1-GE3 , IPD80P03P4L07ATMA2 , BAT54AWT1G
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
RoHS는：
YES
SIA414DJ-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Tc)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.2V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
8 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
800mV @ 250µA
Vgs(최대)：
±5V
패키지/케이스：
PowerPAK® SC-70-6
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
32 nC @ 5 V
전력 소비(최대)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SC-70-6
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1800 pF @ 4 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 9.7A, 4.5V
관심 있는 제품
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
추가 주문
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
추가 주문
FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
추가 주문
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
$0.28
추가 주문
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
$0.07
추가 주문
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
$0.1
추가 주문
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
$1.19
추가 주문
IRFI7446GPBF
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
추가 주문
IRFI7440GPBF
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB FP
추가 주문
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
추가 주문
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
$1.12
추가 주문
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
추가 주문
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
추가 주문
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：19593
수량
단가
국제 가격
3000
0.41
1230
6000
0.39
2340
9000
0.37
3330
팁 => 아래 양식을 작성하십시오.가능한 한 빨리 연락드리겠습니다.
atla@hk-atla.com
