SIA432DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
부품 번호：
SIA432DJ-T1-GE3
대체 모델：
EPCQ16ASI8N , SN65LVDS3487D , SML-020MLTT86 , SI7818DN-T1-GE3 , SIA462DJ-T1-GE3 , MPM3805GQB-Z , 1N4148WT-7 , DAC8411IDCKT , MMZ1608S800ATA00 , FDM3622 , AD602ARZ , SIA400EDJ-T1-GE3 , SIA468DJ-T1-GE3 , IS181GB , ADG1401BRMZ
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
RoHS는：
YES
SIA432DJ-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
패키지/케이스：
PowerPAK® SC-70-6
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 6A, 10V
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SC-70-6
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
800 pF @ 15 V
전력 소비(최대)：
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：4810
수량
단가
국제 가격
3000
0.48
1440
6000
0.46
2760
9000
0.44
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