SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
부품 번호：
SIA456DJ-T1-GE3
대체 모델：
NCV7520MWTXG , SI4090DY-T1-GE3 , SIA446DJ-T1-GE3 , NRVTSA4100T3G , TPN2010FNH , L1Q , SI4056DY-T1-GE3 , SIS892DN-T1-GE3 , SIB456DK-T1-GE3 , V2P6-M3/H , ADUM7441CRQZ-RL7 , SI4816BDY-T1-GE3 , XLUGR34M , SISB46DN-T1-GE3 , MBR1H100SFT3G , SI7818DN-T1-E3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
RoHS는：
YES
SIA456DJ-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
Vgs(최대)：
±16V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.6A (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.4V @ 250µA
패키지/케이스：
PowerPAK® SC-70-6
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
14.5 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SC-70-6
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
350 pF @ 100 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：17800
수량
단가
국제 가격
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