SIR440DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
부품 번호：
SIR440DP-T1-GE3
대체 모델：
SI7149ADP-T1-GE3 , LTM4644IY#PBF , MPC8313CVRAFFC , 510ABA156M250AAG , ASP-134486-01 , ASMT-YTB2-0BB02 , SI7137DP-T1-GE3 , LTC1696ES6#TRMPBF , CVCO55CCQ-2400-2400 , TCA9539RTWR , TCA9555RTWR , PCA9551BS , 118 , SIR882DP-T1-GE3 , PCA9545ARGYR , IRLML6344TRPBF
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
RoHS는：
YES
SIR440DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
150 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
60A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8
전력 소비(최대)：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
6000 pF @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.55mOhm @ 20A, 10V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：8873
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단가
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