IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
부품 번호：
IXTA08N120P
대체 모델：
IXTA08N120P-TRL , IXTA08N120P-TRL , IXTA1N120P , IXTA06N120P , 750342879 , IXTY02N120P , HHXC350ARA470MF61G , IXTA06N120P-TRL , OPA810IDCKR , IXTA1N120P-TRL , LTC2949HLXE#3ZZPBF , IXTY1R4N120PHV , SZESD7410N2T5G , M24C04-DRMF3TG/K , GAP3SLT33-214
제조업체：
Wickmann / Littelfuse
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
RoHS는：
YES
IXTA08N120P 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전력 소비(최대)：
50W (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4.5V @ 50µA
공급자 장치 패키지：
TO-263AA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
14 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
800mA (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
25Ohm @ 500mA, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
333 pF @ 25 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2050
수량
단가
국제 가격
1
4.39
4.39
50
3.48
174
100
2.98
298
500
2.65
1325
1000
2.27
2270
2000
2.13
4260
5000
2.05
10250
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