SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
부품 번호：
SI2312BDS-T1-GE3
대체 모델：
SI2301CDS-T1-GE3 , 1778599 , DM3AT-SF-PEJM5 , SI2301BDS-T1-BE3 , 1540601NBA500 , SI2312BDS-T1-E3 , ESD9R3.3ST5G , IRLML2803TRPBF , SI2312CDS-T1-GE3 , RU1J002YNTCL , P6SMB16A , DS04-254-2-03BK-SMT , 2920L700/12MR , SI2302CDS-T1-E3 , 151033GS03000
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
RoHS는：
YES
SI2312BDS-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3 (TO-236)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
12 nC @ 4.5 V
전력 소비(최대)：
750mW (Ta)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.9A (Ta)
Vgs(일)(최대) @ Id：
850mV @ 250µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
31mOhm @ 5A, 4.5V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：47343
수량
단가
국제 가격
3000
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630
6000
0.2
1200
9000
0.18
1620
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