SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
부품 번호：
SI6423DQ-T1-GE3
대체 모델：
NDC7001C , FTSH-105-01-F-D-RA-K , SI6423DQ-T1-E3 , SI2302CDS-T1-E3 , BZG03C82-M3-08 , LT8631EFE#PBF , SI6415DQ-T1-GE3 , SI7938DP-T1-GE3 , SI2366DS-T1-GE3 , TFM-130-12-L-D-A-P-TR , LTC3129EMSE#PBF , NCP81075MNTXG , SMP1322-005LF , XC7S25-1CSGA324C , SI4116DY-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
RoHS는：
YES
SI6423DQ-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-TSSOP
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
12 V
Vgs(최대)：
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
8.2A (Ta)
전력 소비(최대)：
1.05W (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
110 nC @ 5 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id：
800mV @ 400µA
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