SI7450DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
부품 번호：
SI7450DP-T1-GE3
대체 모델：
OPA462IDDA , TS5A3359DCUT , SI7450DP-T1-E3 , BSC047N08NS3GATMA1 , PDS5100-13 , ADS8688AIDBT , FMMT596TA , FDMS2672 , SI7431DP-T1-GE3 , ZXMP3A17E6TA , AD9958BCPZ , TTETALSANF-25.000000 , 74LVC1G14GV , 125 , R12-150B , ADA4099-2BRMZ
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
RoHS는：
YES
SI7450DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4.5V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
80mOhm @ 4A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.2A (Ta)
전력 소비(최대)：
1.9W (Ta)
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표준 포장 수량：6985
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단가
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