SI7942DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
부품 번호：
SI7942DP-T1-GE3
대체 모델：
TPS63802DLAR , M80-8530442 , SI7252DP-T1-GE3 , LTC4368HDD-2#PBF , MPM3550EGLE , LTC4367CDD#PBF , S1751-46 , 5988A90107F , LT3007ETS8-3.3#TRMPBF , M80-8820242 , LTC4367IMS8#PBF , LTC2863IDD-2#PBF , BZX384-C15 , 115 , M80-8770222 , LTM8002HY#PBF
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
RoHS는：
YES
SI7942DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
구성：
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압(Vdss)：
100V
전력 - 최대：
1.4W
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8 Dual
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
24nC @ 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
49mOhm @ 5.9A, 10V
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