IXTA08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
부품 번호：
IXTA08N100D2
대체 모델：
IXTA08N100D2-TRL , IXTA08N100D2-TRL , BSS159NH6327XTSA2 , IXTA3N100D2 , 5976601607F , 0430450818 , 5976401607F , IXTA1R6N100D2 , DF60-2P-10.16DSA(27) , 5976301607F , SMAJ550-M3/61 , 74651194R , 5976901607F , IXTA08N100D2HV , ACT45B-510-2P-TL003 , IXTP08N100D2
제조업체：
Littelfuse / IXYS RF
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
RoHS는：
YES
IXTA08N100D2 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1000 V
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전력 소비(최대)：
60W (Tc)
공급자 장치 패키지：
TO-263AA
FET 기능：
Depletion Mode
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
800mA (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
325 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
21Ohm @ 400mA, 0V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
14.6 nC @ 5 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：7090
수량
단가
국제 가격
1
3.16
3.16
50
2.5
125
100
2.15
215
500
1.9
950
1000
1.63
1630
2000
1.54
3080
5000
1.47
7350
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