IXTP3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
부품 번호：
IXTP3N100D2
대체 모델：
PT12-21C/TR8 , IXTP08N100D2 , SM6T6V8CA , ESE-24MV1T , IXTP6N50D2 , IXTP6N100D2 , IXTP1R6N100D2 , IXTP3N50D2
제조업체：
Littelfuse / IXYS RF
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
RoHS는：
YES
IXTP3N100D2 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
1000 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3A (Tc)
공급자 장치 패키지：
TO-220-3
전력 소비(최대)：
125W (Tc)
FET 기능：
Depletion Mode
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1020 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
37.5 nC @ 5 V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：1600
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단가
국제 가격
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