IXTH6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
부품 번호:
IXTH6N100D2
대체 모델:
IXTH10N100D2  ,  IRG7PG35UPBF  ,  IXTA6N100D2  ,  IXFX32N100P  ,  STW7N105K5  ,  APT1001RBVRG  ,  IXTH16N10D2  ,  IRFPG40PBF  ,  IXTH16N50D2  ,  DN2540N5-G  ,  ZXTP19060CFFTA  ,  IXTH16N20D2  ,  DN2535N3-G  ,  RUEF250  ,  APT8M100B
제조업체:
Littelfuse / IXYS RF
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
RoHS는:
YES
IXTH6N100D2 사양
장착 유형:
Through Hole
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대):
±20V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss):
1000 V
패키지/케이스:
TO-247-3
전력 소비(최대):
300W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
6A (Tc)
공급자 장치 패키지:
TO-247 (IXTH)
FET 기능:
Depletion Mode
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
95 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
2650 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 3A, 0V
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:2179
수량
단가
국제 가격
1
11.9
11.9
30
9.5
285
120
8.5
1020
510
7.5
3825
1020
6.75
6885
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