IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
부품 번호：
IXTY1R6N100D2
대체 모델：
IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY01N100 , STY145N65M5 , IXTA1R6N100D2 , IXTA1R6N100D2HV , RCU-0C , TPSMB530CA-A , STD2N105K5 , IXTA3N100D2 , RN102-0.3-02-12M , IXTA08N100D2 , ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR , IXTP1R6N100D2 , TPSMB440CA-A , IXTY01N100D-TRL
제조업체：
Wickmann / Littelfuse
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
RoHS는：
YES
IXTY1R6N100D2 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1000 V
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지：
TO-252AA
전력 소비(최대)：
100W (Tc)
FET 기능：
Depletion Mode
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
27 nC @ 5 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
1.6A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
645 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
10Ohm @ 800mA, 0V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：1600
수량
단가
국제 가격
1
3.89
3.89
70
3.08
215.6
140
2.64
369.6
560
2.35
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2.01
2110.5
2030
1.89
3836.7
5040
1.82
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