IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
부품 번호：
IXTA6N100D2
대체 모델：
IXTA6N100D2-TRL , IXTA6N100D2-TRL , IXTH6N100D2 , 10054999-R0600BULF , IXTA6N100D2HV , MC34708VM , EP4CE10F17C8N , IXTA3N100D2 , DS2502P-E48+ , MMSZ4689T1G
제조업체：
Littelfuse / IXYS RF
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
RoHS는：
YES
IXTA6N100D2 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1000 V
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전력 소비(최대)：
300W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6A (Tc)
공급자 장치 패키지：
TO-263AA
FET 기능：
Depletion Mode
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
95 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2650 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
2.2Ohm @ 3A, 0V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：1644
수량
단가
국제 가격
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10.3
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8.22
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