IXTA3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
부품 번호:
IXTA3N100D2
대체 모델:
IXTA3N100D2-TRL  ,  IXTA3N100D2-TRL  ,  IXTA3N50D2  ,  IXTY1R6N100D2  ,  IXTH2N170D2  ,  BSS159NH6327XTSA2  ,  IXTA1R6N100D2  ,  IXTY1R6N50D2  ,  IXTA3N100D2HV  ,  IXTT16N10D2  ,  IXTP6N50D2  ,  IXTA6N50D2  ,  IXTP3N50D2  ,  IXTA1N170DHV  ,  IXTA6N100D2  ,  IXTA08N100D2
제조업체:
Wickmann / Littelfuse
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
RoHS는:
YES
IXTA3N100D2 사양
장착 유형:
Surface Mount
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대):
±20V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss):
1000 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
3A (Tc)
패키지/케이스:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전력 소비(최대):
125W (Tc)
공급자 장치 패키지:
TO-263AA
FET 기능:
Depletion Mode
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
1020 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
37.5 nC @ 5 V
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:1600
수량
단가
국제 가격
1
6.75
6.75
50
5.39
269.5
100
4.83
483
500
4.26
2130
1000
3.83
3830
2000
3.59
7180
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