IPP023NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
부품 번호：
IPP023NE7N3GXKSA1
대체 모델：
IPP016N06NF2SAKMA1 , FDPF2D3N10C , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
RoHS는：
YES
IPP023NE7N3GXKSA1 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
120A (Tc)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
패키지/케이스：
TO-220-3
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
75 V
전력 소비(최대)：
300W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3-1
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.8V @ 273µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
206 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
14400 pF @ 37.5 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2060
수량
단가
국제 가격
1
7.05
7.05
50
5.59
279.5
100
4.79
479
500
4.26
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3.64
3640
2000
3.43
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