US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
부품 번호：
US6M11TR
대체 모델：
2SCR573D3TL1 , TMP75CQDRQ1 , DMN10H170SVTQ-7 , DTA114EU3T106 , DTA143EU3T106 , SSM6L39TU , LF , SSM6L56FE , LM , PJ-036AH-SMT-TR , DMN2004VK-7 , LTC6404HUD-1#PBF , SN74AHC123APWR , US6M2TR , QS6K1TR , DTD113ZUT106 , RJP020N06T100
제조업체：
ROHM Semiconductor
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
RoHS는：
YES
US6M11TR 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
150°C (TJ)
패키지/케이스：
6-SMD, Flat Leads
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구성：
N and P-Channel
FET 기능：
Logic Level Gate
전력 - 최대：
1W
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 1mA
공급자 장치 패키지：
TUMT6
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
1.8nC @ 4.5V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
110pF @ 10V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V, 12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
1.5A, 1.3A
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