BSB012N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
부품 번호：
BSB012N03LX3 G
대체 모델：
BSB012N03LX3G , BSS123
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
RoHS는：
NO
BSB012N03LX3 G 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.2V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
MG-WDSON-2, CanPAK M™
패키지/케이스：
3-WDSON
전력 소비(최대)：
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.2mOhm @ 30A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
39A (Ta), 180A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
169 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
16900 pF @ 15 V
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