IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
부품 번호：
IPP600N25N3GXKSA1
대체 모델：
IMZ120R350M1HXKSA1 , IRFB4229PBF , CST25-0100 , IPP320N20N3GXKSA1 , BSC600N25NS3GATMA1 , PMEG4010CEAX , STP50NF25 , JW2SN-B-DC5V , BZX384-C15 , 115 , FCX495QTA , IRFP254B , IRFI4321PBF , SI2324DS-T1-BE3 , LFXTAL003051BULK , MINISMDC150F/16-2 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 6EDL04N06PTXUMA1 , 2ED2101S06FXUMA1 , 1EDF5673FXUMA1 , 2ED2106S06FXUMA1
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
RoHS는：
YES
IPP600N25N3GXKSA1 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
패키지/케이스：
TO-220-3
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
250 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
25A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3-1
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 25A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
136W (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 90µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2350 pF @ 100 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2010
수량
단가
국제 가격
1
3.38
3.38
50
2.68
134
100
2.3
230
500
2.05
1025
1000
1.75
1750
2000
1.65
3300
5000
1.58
7900
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