SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
부품 번호：
SI2302CDS-T1-E3
대체 모델：
SI2301BDS-T1-E3 , BLM18PG121SH1D , SI2333DS-T1-E3 , 2920L185DR , SI2302CDS-T1-GE3 , SML-LX0603GW-TR , ECS-.327-12.5-34B-TR , SI2302CDS-T1-BE3 , TCA9548APWR , BNX026H01L , SI2301CDS-T1-GE3 , CLVBA-FKA-CAEDH8BBB7A363 , SI2302DDS-T1-GE3 , STB45N65M5 , SZNUP2301MW6T1G
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
RoHS는：
YES
SI2302CDS-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.6A (Ta)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3 (TO-236)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
5.5 nC @ 4.5 V
전력 소비(최대)：
710mW (Ta)
Vgs(일)(최대) @ Id：
850mV @ 250µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：47617
수량
단가
국제 가격
3000
0.12
360
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660
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