EPC2010
GANFET N-CH 200V 12A DIE
EPC2010 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
-40°C ~ 125°C (TJ)
패키지/케이스：
Die
공급자 장치 패키지：
Die
FET 유형：
N-Channel
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
5V
기술：
GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
Vgs(최대)：
+6V, -4V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 3mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
7.5 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
540 pF @ 100 V
관심 있는 제품
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
추가 주문
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
추가 주문
FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
추가 주문
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
$0.28
추가 주문
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
$0.07
추가 주문
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
$0.1
추가 주문
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
$1.19
추가 주문
IRFI7446GPBF
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
추가 주문
IRFI7440GPBF
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB FP
추가 주문
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
추가 주문
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
$1.12
추가 주문
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
추가 주문
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
추가 주문
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：1600
수량
단가
국제 가격
팁 => 아래 양식을 작성하십시오.가능한 한 빨리 연락드리겠습니다.
atla@hk-atla.com
