AOT4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
AOT4N60 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
Vgs(최대)：
±30V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4.5V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
공급자 장치 패키지：
TO-220
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
18 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
104W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
2.2Ohm @ 2A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
615 pF @ 25 V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2019
수량
단가
국제 가격
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1.11
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50
0.89
44.5
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