IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
부품 번호：
IXTY02N120P
대체 모델：
IXTY02N120P-TRL , IXTY02N120P-TRL , IMW120R350M1HXKSA1 , APV1121SX , 0734152063 , CC1110F32RHHT , STH2N120K5-2AG , IXTA08N120P , KMB23S , STD2N105K5 , 1778001 , BLM18PG471SN1D , 750315371 , HV9150K6-G , ESD12VD9-TP , IXTT02N450HV
제조업체：
Wickmann / Littelfuse
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
RoHS는：
YES
IXTY02N120P 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지：
TO-252AA
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 100µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
104 pF @ 25 V
전력 소비(최대)：
33W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
200mA (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
4.7 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
75Ohm @ 500mA, 10V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：19723
수량
단가
국제 가격
1
1.82
1.82
70
1.46
102.2
140
1.2
168
560
1.09
610.4
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