SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
부품 번호：
SI1900DL-T1-E3
대체 모델：
FDG6303N , SIA906EDJ-T1-GE3 , FDG8850NZ , MCP619T-I/ST , BSS84LT1G , SI2303CDS-T1-E3 , DMN3190LDW-7 , MCP2021AT-330E/MD
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
RoHS는：
YES
SI1900DL-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지：
SC-70-6
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)：
30V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
구성：
2 N-Channel (Dual)
전력 - 최대：
270mW
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
590mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
480mOhm @ 590mA, 10V
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