SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
부품 번호：
SQJ469EP-T1_GE3
대체 모델：
SQJ479EP-T1_GE3 , LT1761IS5-5#TRMPBF , EPC2204 , INA237AQDGSRQ1 , GRPB041VWCN-RC , SN74LVC125AD , INA3221AQRGVRQ1 , SN74LVC1T45MDCKREP , LTC3115EFE-2#PBF , SQJ465EP-T1_GE3 , SQJ459EP-T1_GE3 , SN65HVD11HD , SQJ457EP-T1_GE3 , SQJA81EP-T1_GE3 , LT1761IS5-3.3#TRMPBF
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
RoHS는：
YES
SQJ469EP-T1_GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
등급：
Automotive
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
자격：
AEC-Q101
드레인-소스 전압(Vdss)：
80 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
32A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8
전력 소비(최대)：
100W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 10.2A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
5100 pF @ 40 V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：9774
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단가
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