SUD35N10-26P-E3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
부품 번호：
SUD35N10-26P-E3
대체 모델：
SN74LVC2G17DBVR , IPD30N10S3L34ATMA1 , BUK7227-100B , 118 , SUD50P06-15L-E3 , LM7812S/NOPB , IPD35N10S3L26ATMA1 , SUD35N10-26P-BE3 , 4610X-101-102LF , UCC27423MDREP , STD25N10F7 , ADS131M08IRSNT , FDD3670 , DAC80508ZRTET , BUK7240-100A , 118 , ECS-250-18-33-JTN-TR
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
RoHS는：
YES
SUD35N10-26P-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지：
TO-252AA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
7V, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
35A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
47 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4.4V @ 250µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
26mOhm @ 12A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2000 pF @ 12 V
전력 소비(최대)：
8.3W (Ta), 83W (Tc)
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：3703
수량
단가
국제 가격
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