NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
부품 번호：
NVTFS5116PLTWG
대체 모델：
NVTFS5116PLTAG , DMP6023LFGQ-7 , NVTFS5116PLWFTWG , SI2300DS-T1-GE3 , SQJB02ELP-T1_GE3 , SI7489DP-T1-GE3 , NCV890104MWR2G , NTTFS5116PLTWG , NCV47711PDAJR2G , NCV7520MWTXG , MAX6861UK225+T , AON7296 , NVTFS5116PLWFTAG , FDMC86139P , INA132UA/2K5 , ADXL345BCCZ
제조업체：
Sanyo Semiconductor/onsemi
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
RoHS는：
YES
NVTFS5116PLTWG 사양
장착 유형：
Surface Mount
등급：
Automotive
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
자격：
AEC-Q101
공급자 장치 패키지：
8-WDFN (3.3x3.3)
패키지/케이스：
8-PowerWDFN
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6A (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
3.2W (Ta), 21W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1258 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 7A, 10V
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표준 포장 수량：5756
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