NP100P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
부품 번호：
NP100P06PDG-E1-AY
대체 모델：
SUM110P06-07L-E3 , NP100P06PLG-E1-AY , GSFT06130 , SQM120P06-07L_GE3 , NP100P04PDG-E1-AY , LTM4644IY#PBF , AX3DAF1-100.0000 , SUM110P06-08L-E3 , IPB110P06LMATMA1 , BLM31SN500SN1L , PMV28UNEAR , OPA140AIDBVT , 2N7002ET1G , NP83P06PDG-E1-AY , BSH205G2R
제조업체：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
RoHS는：
YES
NP100P06PDG-E1-AY 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
100A (Tc)
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도：
175°C (TJ)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
300 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 1mA
공급자 장치 패키지：
TO-263
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 50A, 10V
전력 소비(최대)：
1.8W (Ta), 200W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
15000 pF @ 10 V
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