NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
부품 번호：
NP36P06KDG-E1-AY
대체 모델：
FQB47P06TM-AM002 , FQB27P06TM , 0439151206 , IRF5210STRLPBF , IRF4905STRLPBF , NP36P04KDG-E1-AY , BZT52C2V0-7-F , NTB25P06T4G , NP36P06SLG-E1-AY , SMAZ33-13-F , 2SA1163-BL , LF , 2SC2713-GR , LF , IXTA96P085T , ICL7665AESA+
제조업체：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
RoHS는：
YES
NP36P06KDG-E1-AY 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도：
175°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 1mA
공급자 장치 패키지：
TO-263
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
54 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
36A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
29.5mOhm @ 18A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
3100 pF @ 10 V
전력 소비(최대)：
1.8W (Ta), 56W (Tc)
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표준 포장 수량：4342
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단가
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