NP36P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
부품 번호：
NP36P06SLG-E1-AY
대체 모델：
STD35P6LLF6 , IPBT-110-H1-T-D-RA-K , NP36P06KDG-E1-AY , IPBD-10-D-K , EEH-ZK1E470R , 1864341 , BTN8962TAAUMA1 , 24452 , LD1117S50CTR , 3220-10-0100-00 , FH1600015 , 282841-2 , MMBT2222ALT1G , 7914J-1-000E , 1825910-6
제조업체：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
RoHS는：
YES
NP36P06SLG-E1-AY 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도：
175°C (TJ)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
52 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
36A (Tc)
공급자 장치 패키지：
TO-252 (MP-3ZK)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
3200 pF @ 10 V
전력 소비(최대)：
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 18A, 10V
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