NP50P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
부품 번호：
NP50P06KDG-E1-AY
대체 모델：
IRF4905STRLPBF , PTVS3V3S1UTR , 115 , IPB110P06LMATMA1 , MCB110P06Y-TP , SBH21-NBPN-D07-ST-BK , NP36P04KDG-E1-AY , FSM2JSMAATR , SPB80P06PGATMA1 , NP50P04KDG-E1-AY , 2311775-1 , MCU50P06Y-TP , VXO78015-1000 , NP50P06SDG-E1-AY , 8W-20.000MBE-T , SQD50P08-25L_GE3
제조업체：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
RoHS는：
YES
NP50P06KDG-E1-AY 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도：
175°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 1mA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
50A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
5000 pF @ 10 V
공급자 장치 패키지：
TO-263
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
95 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 25A, 10V
전력 소비(최대)：
1.8W (Ta), 90W (Tc)
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표준 포장 수량：6495
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단가
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