GPA015A120MN-ND
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
부품 번호：
GPA015A120MN-ND
제조업체：
SemiQ
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
설명：
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
RoHS는：
YES
GPA015A120MN-ND 사양
장착 유형：
Through Hole
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)：
1200 V
패키지/케이스：
TO-3P-3, SC-65-3
입력 유형：
Standard
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 15A
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)：
30 A
테스트 조건：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)：
45 A
공급자 장치 패키지：
TO-3PN
게이트 요금：
210 nC
IGBT 유형：
NPT and Trench
역복구 시간(trr)：
320 ns
전력 - 최대：
212 W
스위칭 에너지：
1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td(켜기/끄기) @ 25°C：
25ns/166ns
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