FGA30T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
부품 번호：
FGA30T65SHD
대체 모델：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , MIW40N65RA-BP , FGA40T65SHD , SIHP6N40D-BE3 , IHW40N65R6XKSA1 , IKFW40N65ES5XKSA1 , STLINK-V3MODS , NUCLEO-H743ZI2 , MOC3053SM , LNK3696G-TL , ATDS3534UV405B , ABM8-27.120MHZ-10-D1G-T
제조업체：
Sanyo Semiconductor/onsemi
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
설명：
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
RoHS는：
YES
FGA30T65SHD 사양
장착 유형：
Through Hole
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT 유형：
Trench Field Stop
패키지/케이스：
TO-3P-3, SC-65-3
입력 유형：
Standard
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)：
650 V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)：
60 A
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)：
90 A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 30A
공급자 장치 패키지：
TO-3PN
전력 - 최대：
238 W
역복구 시간(trr)：
31.8 ns
테스트 조건：
400V, 30A, 6Ohm, 15V
스위칭 에너지：
598µJ (on), 167µJ (off)
게이트 요금：
54.7 nC
Td(켜기/끄기) @ 25°C：
14.4ns/52.8ns
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