FGA50T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
부품 번호：
FGA50T65SHD
대체 모델：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
제조업체：
Sanyo Semiconductor/onsemi
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
설명：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
RoHS는：
YES
FGA50T65SHD 사양
장착 유형：
Through Hole
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
IGBT 유형：
Trench Field Stop
패키지/케이스：
TO-3P-3, SC-65-3
입력 유형：
Standard
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)：
150 A
전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대)：
650 V
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 50A
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)：
100 A
공급자 장치 패키지：
TO-3PN
게이트 요금：
87 nC
테스트 조건：
400V, 50A, 6Ohm, 15V
전력 - 최대：
319 W
역복구 시간(trr)：
34.6 ns
스위칭 에너지：
1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td(켜기/끄기) @ 25°C：
22.4ns/73.6ns
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