IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Номер компонента:
IXFN200N10P
Альтернативная модель:
IXTN200N10T  ,  HSA505R1J  ,  VS-FC420SA10  ,  IXFN230N20T  ,  IXTN660N04T4  ,  IXFN360N10T  ,  VS-FC270SA20  ,  IXFN400N15X3  ,  VS-FC420SA15  ,  IXTN210P10T  ,  IXFN210N20P  ,  IXFN170N25X3  ,  IXFN300N10P  ,  IXTN200N10L2  ,  87606-309LF
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
РОХС:
YES
IXFN200N10P Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс:
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика:
SOT-227B
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
7600 pF @ 25 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
235 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
200A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5V @ 8mA
Рассеиваемая мощность (макс.):
680W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 500mA, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1604
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
30.93
30.93
10
27.49
274.9
100
24.05
2405
500
20.52
10260
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.