SI3851DV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
Номер компонента:
SI3851DV-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP
РОХС:
YES
SI3851DV-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика:
6-TSOP
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA (Min)
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Особенность полевого транзистора:
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.):
830mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.6A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
3.6 nC @ 5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 1.8A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.