APTM120DA30T1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Номер компонента:
APTM120DA30T1G
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
РОХС:
YES
APTM120DA30T1G Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
ВГС (Макс):
±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1200 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
560 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
31A (Tc)
Пакет/кейс:
SP1
Пакет устройств поставщика:
SP1
Рассеиваемая мощность (макс.):
657W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
360mOhm @ 25A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
14560 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.