IRF1018ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Номер компонента:
IRF1018ESTRLPBF
Альтернативная модель:
IRF1018ESPBF  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  MEM1608D201RT001  ,  IRFS3806TRLPBF  ,  IPL1-102-01-L-S-K  ,  BAT-HLD-001-THM  ,  FXL6408UMX  ,  693071030811  ,  HUF75545S3ST  ,  742C083473JP  ,  AP2202K-ADJTRG1  ,  KSC221JLFS  ,  BMP581  ,  TXU0101DCKR  ,  MAX3232EESE+  ,  ADS1014IRUGT  ,  MCP1801T-0902I/OT
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
РОХС:
YES
IRF1018ESTRLPBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет устройств поставщика:
D2PAK
Рассеиваемая мощность (макс.):
110W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
79A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
69 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 100µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2290 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:10425
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
800
0.95
760
1600
0.77
1232
2400
0.73
1752
5600
0.69
3864
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.