IRF5852TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Номер компонента:
IRF5852TRPBF
Альтернативная модель:
FDC6305N  ,  MAX6328UR26+T
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
РОХС:
NO
IRF5852TRPBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика:
6-TSOP
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.25V @ 250µA
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
6nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
400pF @ 15V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Мощность - Макс.:
960mW
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.