SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7812DN-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI7812DN-T1-E3  ,  BLM31KN121SN1L  ,  MMBT3906SL  ,  SMDJ30CA  ,  SI7153DN-T1-GE3  ,  SI2387DS-T1-GE3  ,  PI3424-00-LGIZ  ,  SISA14DN-T1-GE3  ,  VLMO1500-GS08  ,  MQPI-18LP-01  ,  LTM8024IY#PBF  ,  SQJ401EP-T2_GE3  ,  IPG20N10S4L22ATMA1  ,  SIS782DN-T1-GE3  ,  0448004.MR
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7812DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
75 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
16A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
37mOhm @ 7.2A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
840 pF @ 35 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:52392
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.92
2760
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.