SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Номер компонента:
SI2301CDS-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI2302CDS-T1-GE3  ,  SP0503BAHTG  ,  SI2302CDS-T1-E3  ,  IRLML6244TRPBF  ,  1N4148W-TP  ,  SI2302CDS-T1-BE3  ,  BZT52H-C6V2  ,  115  ,  SI2302DDS-T1-BE3  ,  BLM18EG221SN1D  ,  GG0402050R3C2P  ,  SML-D12U1WT86  ,  742792693  ,  LL4148  ,  10118192-0001LF  ,  BAS70-04  ,  215
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
РОХС:
YES
SI2301CDS-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет/кейс:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±8V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
10 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
405 pF @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3.1A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.):
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:190692
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.11
330
6000
0.11
660
9000
0.1
900
30000
0.1
3000
75000
0.09
6750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.