SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Номер компонента:
SI2303CDS-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI2304DDS-T1-GE3  ,  STPS5L60S  ,  SI2301CDS-T1-GE3  ,  DNBT8105-7  ,  SI2318DS-T1-E3  ,  IRF7341TRPBF  ,  TB6559FG  ,  8  ,  EL  ,  SI2303  ,  A4979GLPTR-T  ,  ADC104S021CIMMX/NOPB  ,  LI0805H151R-10  ,  SI2303CDS-T1-BE3  ,  TPS62175DQCT  ,  B340A-13-F  ,  5M80ZE64C5N
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
РОХС:
YES
SI2303CDS-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет/кейс:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.7A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
8 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 1.9A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
155 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1W (Ta), 2.3W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:15185
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.17
510
6000
0.15
900
9000
0.14
1260
30000
0.14
4200
75000
0.13
9750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.