SI7123DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7123DN-T1-GE3
Альтернативная модель:
SIS407ADN-T1-GE3  ,  SIS412DN-T1-GE3  ,  SIS407DN-T1-GE3  ,  EXB-38V103JV  ,  EXB-38V221JV  ,  LAN8710AI-EZK-TR-ABC  ,  LAN8740A-EN-TR  ,  PTS810 SJS 250 SMTR LFS  ,  USBLC6-2SC6Y  ,  PDTC143ET  ,  215  ,  SI7617DN-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7123DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.5W (Ta)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±8V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
10.2A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
90 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
10.6mOhm @ 15A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3729 pF @ 10 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.