SI7174DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7174DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
LP2986AIM-3.3/NOPB  ,  A3P250-FG144I  ,  NTTFS3D7N06HLTWG  ,  ITS4040DEPDXUMA1  ,  SI4864DY-T1-GE3  ,  ERF8-020-05.0-S-DV-K-TR  ,  XPN7R104NC  ,  L1XHQ  ,  SD2114S040S8R0  ,  LTC4216IDE#PBF  ,  AD7814ARTZ-500RL7  ,  5044491007  ,  SISH434DN-T1-GE3  ,  SI6415DQ-T1-E3  ,  SI7148DP-T1-E3  ,  158AVG016MGBJ
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7174DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
75 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
60A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
72 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2770 pF @ 40 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5740
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.64
4920
6000
1.57
9420
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.