SI7322DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7322DN-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI7322DN-T1-E3  ,  DMN10H170SFG-7  ,  SIR186DP-T1-RE3  ,  SIS443DN-T1-GE3  ,  DMT10H072LFV-7  ,  1.14.002.111/0000  ,  IRFHM3911TRPBF  ,  LTM4607EV#PBF  ,  DMN10H099SFG-7  ,  SI3493BDV-T1-E3  ,  FDMC8622
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7322DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
20 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
18A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4.4V @ 250µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
58mOhm @ 5.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
750 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:18021
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.75
2250
6000
0.72
4320
9000
0.68
6120
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.