SI7460DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7460DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
BNX023-01L  ,  SI7461DP-T1-E3  ,  STPS2L60A  ,  SI7460DP-T1-E3  ,  SI7431DP-T1-GE3  ,  OSTVN08A150  ,  SI7288DP-T1-GE3  ,  FDD86367-F085  ,  BZT52B3V0-E3-08  ,  OSTVN04A150  ,  MSP430F5510IRGCR  ,  MBRS360T3G  ,  TSM-103-01-T-SH  ,  1843606  ,  REF2041AIDDCT
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7460DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
11A (Ta)
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.9W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
9.6mOhm @ 18A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:8078
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.05
3150
6000
1.01
6060
9000
0.98
8820
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.