SI7716ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Номер компонента:
SI7716ADN-T1-GE3
Альтернативная модель:
SSM6J507NU  ,  LF  ,  SI2324DS-T1-GE3  ,  SI2347DS-T1-GE3  ,  SIR426DP-T1-GE3  ,  SIS434DN-T1-GE3  ,  SI2304DDS-T1-GE3  ,  QBLP601-IG  ,  DMG3402L-7  ,  PMF170XP  ,  115  ,  SI7121DN-T1-GE3  ,  EX-14A  ,  SK38A-LTP  ,  SI1902DL-T1-GE3  ,  GBPC2506  ,  SI7450DP-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
РОХС:
YES
SI7716ADN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
16A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
23 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
13.5mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
846 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:12647
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.54
1620
6000
0.52
3120
9000
0.48
4320
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.